最新快讯！毕业季再掀"毁约风波"：广汽埃安深夜发声明澄清，仅个别岗位调整

毕业季再掀"毁约风波"：广汽埃安深夜发声明澄清，仅个别岗位调整

广州 - 6月13日晚间，广汽埃安发布声明，回应了近日网络上流传的"该公司大规模解约应届生"的传闻。声明中表示，该消息为不实信息，公司仅对个别岗位进行调整，并严格按照相关规定履行赔偿义务。

此前，网上流传一份疑似为广汽埃安校园招聘解约通知的截图，显示公司将与部分应届生解约，并支付5000元违约金。该消息引发广泛关注，不少网友质疑广汽埃安的诚信，并对应届生的就业状况表示担忧。

对此，广汽埃安方面表示，截图中的内容系伪造，并非公司官方文件。公司近期确实对部分岗位进行了调整，但仅涉及个别员工，并非大规模解约。对于受影响的员工，公司将严格按照国家相关规定和公司劳动合同约定，依法依规支付相应补偿金。

广汽埃安还强调，公司一直高度重视人才引进工作，并对所有员工一视同仁。今年以来，公司已累计招聘应届毕业生数百名，并为他们提供了良好的职业发展平台。

近年来，不少企业在招聘季出现毁约应届生的情况，引发社会广泛关注。这不仅损害了企业的形象和公信力，也对应届生的就业造成不良影响。相关部门应加强对招聘市场的监管，维护劳动者的合法权益。

以下是新闻稿的几点补充:

• 声明中提到，广汽埃安对个别岗位进行调整的原因是公司业务发展战略调整。这表明公司正在积极应对市场变化，寻求新的发展机会。
• 声明中还提到，公司将继续加大对人才培养的投入，为员工提供良好的发展平台。这表明公司重视人才的长期发展，并希望打造一支高素质的员工队伍。
• 除了广汽埃安之外，近期也有其他企业被曝出毁约应届生的事件。这表明，在当前严峻的就业形势下，应届生求职维权难的问题仍然值得关注。

希望这篇新闻稿能够客观、准确地反映事件情况，并为读者提供一些有价值的信息。

三星3D NAND堆叠技术领跑行业，长存美光紧追其后

[美国，加州] - 据市场研究机构TechInsights近日发布的报告，三星电子在3D NAND闪存堆叠技术方面处于领先地位，其平均每单元比特堆叠层数达到了176层，而紧随其后的长存美光则为164层。

报告指出，三星在3D NAND堆叠技术方面的领先优势主要体现在其先进的晶圆代工工艺和设计架构上。三星采用了一系列创新的技术，例如沟槽填充技术和自对准蚀刻技术，使得其能够在更薄的晶圆上制造更多的存储层。此外，三星还开发了一种新的3D NAND架构，该架构可以提高存储单元的密度和性能。

长存美光也在3D NAND堆叠技术方面投入了大量研发资金，并取得了显著进展。该公司目前正在开发176层3D NAND闪存，预计将于2024年底投产。

3D NAND闪存是目前最先进的闪存技术之一，具有更高的存储密度、更快的速度和更低的功耗。随着智能手机、数据中心和服务器等应用对存储需求的不断增长，3D NAND闪存市场预计将快速增长。

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